IPD33CN10NGATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD33CN10NGATMA1 par Infineon et IPD30N10S3L34ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD33CN10NGATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,32 $0,38
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 27 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 58 W —
Technology OptiMOS (Trench) —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (TJ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Niveau MSL 1 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Type de transistor — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
Température de jonction en fonctionnement — -55°C to +175°C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

Fiches techniques et ressources

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