IPD33CN10NGATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD33CN10NGATMA1 por Infineon e IPD30N10S3L34ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD33CN10NGATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,32 $0,38
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 27 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 58 W —
Technology OptiMOS (Trench) —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (TJ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nível MSL 1 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Tipo de transistor — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
Temperatura de junção de operação — -55°C to +175°C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

Fichas técnicas e recursos

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