IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD35N10S3L26ATMA2 von Infineon und IPD35N10S3L26ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD35N10S3L26ATMA2 IPD35N10S3L26ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $0,81
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 35 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 24 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc) 71 W —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Gehäuse PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
Pin-Anzahl 3 (Drain, Source, Gate + tab) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T) OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET)
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Part Number — IPD35N10S3L26ATMA1
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 35 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 26 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 71 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +175°C
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Green product (halogen-free)
Typical Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet]

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