IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD35N10S3L26ATMA2 por Infineon y IPD35N10S3L26ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD35N10S3L26ATMA2 IPD35N10S3L26ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,05 $0,81
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 35 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 24 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc) 71 W —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
Recuento de pines 3 (Drain, Source, Gate + tab) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T) OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET)
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Part Number — IPD35N10S3L26ATMA1
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 35 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 26 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 71 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55°C to +175°C
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Green product (halogen-free)
Typical Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet]

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