IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD35N10S3L26ATMA2 par Infineon et IPD35N10S3L26ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD35N10S3L26ATMA2 IPD35N10S3L26ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,81
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 35 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 24 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc) 71 W —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
Nombre de broches 3 (Drain, Source, Gate + tab) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T) OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET)
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Part Number — IPD35N10S3L26ATMA1
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 35 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 26 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 71 W
Température de jonction en fonctionnement — -55°C to +175°C
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Green product (halogen-free)
Typical Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet]

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