IPD50N04S408ATMA1 vs IPB120N04S402ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD50N04S408ATMA1 von Infineon und IPB120N04S402ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD50N04S408ATMA1 IPB120N04S402ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,69 $1,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 OptiMOS-T2
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (V DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I D, Tc) 50 A —
Power Dissipation (P D, Tc) 46 W —
Gehäuse PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
MSL-Level MSL1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Tested 100 % Avalanche tested —
Green Package (RoHS) RoHS compliant —
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] —
On-State Resistance (R DS(on)) [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] —
Total Gate Charge (Q G) [DATA_NEEDED: Q G typical] —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC) — 120 A
Power Dissipation (PD, TC) — 158 W
RDS(on) (typ @ VGS=10 V) — 1.8 mΩ
Pin-Anzahl — 3 (2 + Tab)
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rating — 100% Avalanche Tested
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow)
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)

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