IPD50N04S408ATMA1 vs IPB120N04S402ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD50N04S408ATMA1 por Infineon y IPB120N04S402ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD50N04S408ATMA1 IPB120N04S402ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,69 $1,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 OptiMOS-T2
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (V DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I D, Tc) 50 A —
Power Dissipation (P D, Tc) 46 W —
Encapsulado PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
Nivel MSL MSL1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Tested 100 % Avalanche tested —
Green Package (RoHS) RoHS compliant —
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] —
On-State Resistance (R DS(on)) [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] —
Total Gate Charge (Q G) [DATA_NEEDED: Q G typical] —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC) — 120 A
Power Dissipation (PD, TC) — 158 W
RDS(on) (typ @ VGS=10 V) — 1.8 mΩ
Recuento de pines — 3 (2 + Tab)
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rating — 100% Avalanche Tested
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow)
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización