IPD50N04S408ATMA1 vs IPB120N04S402ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD50N04S408ATMA1 por Infineon e IPB120N04S402ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD50N04S408ATMA1 IPB120N04S402ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,69 $1,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 OptiMOS-T2
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (V DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I D, Tc) 50 A —
Power Dissipation (P D, Tc) 46 W —
Encapsulamento PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
Nível MSL MSL1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Tested 100 % Avalanche tested —
Green Package (RoHS) RoHS compliant —
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] —
On-State Resistance (R DS(on)) [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] —
Total Gate Charge (Q G) [DATA_NEEDED: Q G typical] —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC) — 120 A
Power Dissipation (PD, TC) — 158 W
RDS(on) (typ @ VGS=10 V) — 1.8 mΩ
Contagem de pinos — 3 (2 + Tab)
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rating — 100% Avalanche Tested
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow)
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação