IPD50N04S408ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD50N04S408ATMA1 von Infineon und IPB35N10S3L26ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IPB35N10S3L26ATMA2 IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD50N04S408ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,69 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 OptiMOS Power-Transistor
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (V DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I D, Tc) 50 A —
Power Dissipation (P D, Tc) 46 W —
Gehäuse PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C -55C to +175C
MSL-Level MSL1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100 % Avalanche tested —
Green Package (RoHS) RoHS compliant —
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] —
On-State Resistance (R DS(on)) [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] —
Total Gate Charge (Q G) [DATA_NEEDED: Q G typical] —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 35 A
Gepulster Drain-Strom — 180 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
RDS(on) (typical) — 26.3 mOhm
Anzahl der Pins — 3
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
RoHS-Status — Compliant
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product page classification)

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