IPD50N04S408ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD50N04S408ATMA1 par Infineon et IPB35N10S3L26ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPB35N10S3L26ATMA2 IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD50N04S408ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,69 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 OptiMOS Power-Transistor
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (V DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I D, Tc) 50 A —
Power Dissipation (P D, Tc) 46 W —
Boîtier PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Niveau MSL MSL1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100 % Avalanche tested —
Green Package (RoHS) RoHS compliant —
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] —
On-State Resistance (R DS(on)) [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] —
Total Gate Charge (Q G) [DATA_NEEDED: Q G typical] —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 35 A
Courant de drain pulsé — 180 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
RDS(on) (typical) — 26.3 mOhm
Nombre de broches — 3
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Statut RoHS — Compliant
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product page classification)

Fiches techniques et ressources

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