IPD50N04S408ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD50N04S408ATMA1 por Infineon y IPB35N10S3L26ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPB35N10S3L26ATMA2 IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD50N04S408ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,69 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 OptiMOS Power-Transistor
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (V DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I D, Tc) 50 A —
Power Dissipation (P D, Tc) 46 W —
Encapsulado PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Nivel MSL MSL1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100 % Avalanche tested —
Green Package (RoHS) RoHS compliant —
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] —
On-State Resistance (R DS(on)) [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] —
Total Gate Charge (Q G) [DATA_NEEDED: Q G typical] —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 35 A
Corriente de drenador pulsada — 180 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
RDS(on) (typical) — 26.3 mOhm
Número de pines — 3
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Estado RoHS — Compliant
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product page classification)

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