IPD50N06S409ATMA2 vs BSC019N04LSTATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD50N06S409ATMA2 von Infineon und BSC019N04LSTATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD50N06S409ATMA2 BSC019N04LSTATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,49 $1,21
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-TO252-3-11 (DPAK) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Pin-Anzahl 3 (2 + Tab) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] Yes / Yes
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +150 C
MSL-Level — 1 (unlimited)
Avalanche Rated — Yes

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