IPD50N06S409ATMA2 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD50N06S409ATMA2 por Infineon e BSC019N04LSTATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD50N06S409ATMA2 BSC019N04LSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,49 $1,21
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Contagem de pinos 3 (2 + Tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] Yes / Yes
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C
Nível MSL — 1 (unlimited)
Avalanche Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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