IPD50N10S3L16ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD50N10S3L16ATMA1 von Infineon und IPC50N04S5L5R5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD50N10S3L16ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,89 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD50N10S3L16ATMA1 —
Series OptiMOS-T —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 50 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 200 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 15 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.5 V (typ) —
Power Dissipation (P_D, T_C=25C) 100 W —
Gehäuse PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS-Status Compliant —
Packaging Tape & Reel —
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

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