IPD50N10S3L16ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD50N10S3L16ATMA1 por Infineon e IPC50N04S5L5R5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD50N10S3L16ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,89 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD50N10S3L16ATMA1 —
Series OptiMOS-T —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 50 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 200 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 15 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.5 V (typ) —
Power Dissipation (P_D, T_C=25C) 100 W —
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Status RoHS Compliant —
Packaging Tape & Reel —
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação