IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD60R385CPATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD60R280P7SAUMA1 von Infineon und IPD60R385CPATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R385CPATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $0,42
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 27 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) CoolMOS™ CP (5th generation)
RoHS-Status Compliant Compliant
Integrated ESD Protection Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 385 mΩ (typ, VGS = 10 V)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 9 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 83 W
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +150 °C
Gehäuse / Bauform — PG-TO252-3 (DPAK)
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain)

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