IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD60R385CPATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD60R280P7SAUMA1 por Infineon e IPD60R385CPATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R385CPATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,42
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 27 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) CoolMOS™ CP (5th generation)
Status RoHS Compliant Compliant
Integrated ESD Protection Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 385 mΩ (typ, VGS = 10 V)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 9 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 83 W
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +150 °C
Encapsulamento / Caixa — PG-TO252-3 (DPAK)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain)

Fichas técnicas e recursos

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