IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD60R385CPATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R280P7SAUMA1 par Infineon et IPD60R385CPATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R385CPATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,42
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 27 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) CoolMOS™ CP (5th generation)
Statut RoHS Compliant Compliant
Integrated ESD Protection Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 385 mΩ (typ, VGS = 10 V)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 9 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 83 W
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +150 °C
Boîtier / Format — PG-TO252-3 (DPAK)
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain)

Fiches techniques et ressources

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