IPD60R385CPATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD60R385CPATMA1 von Infineon und BSC052N08NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD60R385CPATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,42 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ CP (5th generation) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +150 °C -55C to +150C
Gehäuse / Bauform PG-TO252-3 (DPAK) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
Technology — OptiMOS 5
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Gehäuse — PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm

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