IPD60R385CPATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R385CPATMA1 par Infineon et BSC052N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD60R385CPATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,42 | $0,52 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ CP (5th generation) | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 600 V | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 9 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 27 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 83 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Gate Charge (Qg) | 18 nC (typ) | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C |
| Boîtier / Format | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Part Number | — | BSC052N08NS5ATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 5 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5-3.0 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Boîtier | — | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |