IPD60R385CPATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD60R385CPATMA1 von Infineon und IPD60R280P7SAUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD60R385CPATMA1 IPD60R280P7SAUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,42 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) CoolMOS P7 (7th generation, 600 V)
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] 4 V max @ ID = 190 µA
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +150 °C —
Gehäuse / Bauform PG-TO252-3 (DPAK) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 12 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 280 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) — 53 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -40 °C to +150 °C
Technology — CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel
Gehäuse — PG-TO252-3 (DPAK)
Integrated ESD Protection — Yes

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