IPD60R385CPATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD60R385CPATMA1 por Infineon e IPD60R280P7SAUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD60R385CPATMA1 IPD60R280P7SAUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,42 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) CoolMOS P7 (7th generation, 600 V)
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] 4 V max @ ID = 190 µA
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +150 °C —
Encapsulamento / Caixa PG-TO252-3 (DPAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 12 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 280 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) — 53 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -40 °C to +150 °C
Technology — CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel
Encapsulamento — PG-TO252-3 (DPAK)
Integrated ESD Protection — Yes

Fichas técnicas e recursos

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