IPD60R385CPATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R385CPATMA1 par Infineon et IPD60R280P7SAUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD60R385CPATMA1 IPD60R280P7SAUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,42 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) CoolMOS P7 (7th generation, 600 V)
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] 4 V max @ ID = 190 µA
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +150 °C —
Boîtier / Format PG-TO252-3 (DPAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 12 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 280 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) — 53 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -40 °C to +150 °C
Technology — CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel
Boîtier — PG-TO252-3 (DPAK)
Integrated ESD Protection — Yes

Fiches techniques et ressources

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