IPD60R600C6ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD60R600C6ATMA1 von Infineon und IPD65R380E6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD60R600C6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,92 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C6 CoolMOS™ E6
Part Suffix ATMA1 (Tape & Reel) —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology CoolMOS C6 (Superjunction) Superjunction (CoolMOS™)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 7.3 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 600 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C 63 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C -55 °C to +150 °C
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 1
Drain-Source Voltage (V_DS) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 10.6 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 380 mΩ
R_DS(on) test conditions — 3.2 A, 10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V typ
Gate Charge (Q_G) — 39 nC at 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 710 pF at 100 V
Power Dissipation (P_D) at T_C — 83 W

Datenblätter & Ressourcen

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