IPD65R380E6ATMA1 vs IPD50N10S3L16ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD65R380E6ATMA1 von Infineon und IPD50N10S3L16ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD65R380E6ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $0,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ E6 OptiMOS-T
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS™) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 10.6 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 380 mΩ —
R_DS(on) test conditions 3.2 A, 10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V typ —
Gate Charge (Q_G) 39 nC at 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 710 pF at 100 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C 83 W —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C -55 °C to +175 °C (junction)
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK), surface mount PG-TO252-3-11 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Maximum R_DS(on) at VGS=10V — 15 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C — 100 W
Pin-Anzahl — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Delivery Form — Tape and Reel (T&R)

Datenblätter & Ressourcen

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