IPD65R380E6ATMA1 vs IPD50N10S3L16ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD65R380E6ATMA1 por Infineon e IPD50N10S3L16ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD65R380E6ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ E6 OptiMOS-T
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS™) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 10.6 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 380 mΩ —
R_DS(on) test conditions 3.2 A, 10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V typ —
Gate Charge (Q_G) 39 nC at 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 710 pF at 100 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C 83 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C -55 °C to +175 °C (junction)
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK), surface mount PG-TO252-3-11 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Maximum R_DS(on) at VGS=10V — 15 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C — 100 W
Contagem de pinos — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Delivery Form — Tape and Reel (T&R)

Fichas técnicas e recursos

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