IPD65R380E6ATMA1 vs IPD50N10S3L16ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD65R380E6ATMA1 par Infineon et IPD50N10S3L16ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD65R380E6ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ E6 OptiMOS-T
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS™) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 10.6 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 380 mΩ —
R_DS(on) test conditions 3.2 A, 10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V typ —
Gate Charge (Q_G) 39 nC at 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 710 pF at 100 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C 83 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C -55 °C to +175 °C (junction)
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK), surface mount PG-TO252-3-11 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Maximum R_DS(on) at VGS=10V — 15 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C — 100 W
Nombre de broches — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Delivery Form — Tape and Reel (T&R)

Fiches techniques et ressources

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