IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPD80R2K4P7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD80R1K4P7ATMA1 von Infineon und IPD80R2K4P7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,62 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
Technology N-Channel Superjunction MOSFET (Metal Oxide), Superjunction
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A —
On-Resistance (RDS(on)) typ/max 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ) —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Verlustleistung (Ptot) 32 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
Gehäuse PG-TO252-2 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain/Tab, Source) —
RoHS-Status Compliant —
REACH Status Compliant —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Energy Rated Yes —
Body Diode Integrated, fast recovery —
Part Number — IPD80R2K4P7ATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 800 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 2.5 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 22 W
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2000 mOhm
Gate Drive Voltage (typ) — 10 V
Pins — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)
Part Status — Active

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