IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPD80R2K4P7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD80R1K4P7ATMA1 por Infineon y IPD80R2K4P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
Technology N-Channel Superjunction MOSFET (Metal Oxide), Superjunction
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A —
On-Resistance (RDS(on)) typ/max 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ) —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Disipación de potencia (Ptot) 32 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado PG-TO252-2 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (Gate, Drain/Tab, Source) —
Estado RoHS Compliant —
REACH Status Compliant —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Energy Rated Yes —
Body Diode Integrated, fast recovery —
Part Number — IPD80R2K4P7ATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 800 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 2.5 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 22 W
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2000 mOhm
Gate Drive Voltage (typ) — 10 V
Pins — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)
Part Status — Active

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