IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPD80R2K4P7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD80R1K4P7ATMA1 por Infineon e IPD80R2K4P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
Technology N-Channel Superjunction MOSFET (Metal Oxide), Superjunction
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A —
On-Resistance (RDS(on)) typ/max 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ) —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Dissipação de potência (Ptot) 32 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Encapsulamento PG-TO252-2 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain/Tab, Source) —
Status RoHS Compliant —
REACH Status Compliant —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Energy Rated Yes —
Body Diode Integrated, fast recovery —
Part Number — IPD80R2K4P7ATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 800 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 2.5 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 22 W
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2000 mOhm
Gate Drive Voltage (typ) — 10 V
Pins — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Part Status — Active

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação