IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPN80R1K2P7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD80R1K4P7ATMA1 von Infineon und IPN80R1K2P7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,62 $0,51
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Technology N-Channel Superjunction Superjunction (CoolMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A —
On-Resistance (RDS(on)) typ/max 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ) —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Verlustleistung (Ptot) 32 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
Gehäuse PG-TO252-2 (DPAK) SOT-223 (3-pin, 2 + tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain/Tab, Source) —
RoHS-Status Compliant —
REACH Status Compliant —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated Yes —
Body Diode Integrated, fast recovery —
Family / Series — CoolMOS P7
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage VDSS — 800 V
Continuous Drain Current ID (Tc) — 4.5 A
Maximum RDS(on) — 1200 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation PD (Tc) — 6.8 W
Gate-Source Voltage VGSS — [DATA_NEEDED: VGSS absolute maximum]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +150°C (TJ)
ESD Protection — ESD-protected gate (per CoolMOS P7 family)
RoHS Compliance — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern