IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPN80R1K2P7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD80R1K4P7ATMA1 por Infineon e IPN80R1K2P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPD80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,51
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Technology N-Channel Superjunction Superjunction (CoolMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A —
On-Resistance (RDS(on)) typ/max 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ) —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Dissipação de potência (Ptot) 32 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Encapsulamento PG-TO252-2 (DPAK) SOT-223 (3-pin, 2 + tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain/Tab, Source) —
Status RoHS Compliant —
REACH Status Compliant —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated Yes —
Body Diode Integrated, fast recovery —
Family / Series — CoolMOS P7
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage VDSS — 800 V
Continuous Drain Current ID (Tc) — 4.5 A
Maximum RDS(on) — 1200 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation PD (Tc) — 6.8 W
Gate-Source Voltage VGSS — [DATA_NEEDED: VGSS absolute maximum]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +150°C (TJ)
ESD Protection — ESD-protected gate (per CoolMOS P7 family)
RoHS Compliance — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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