IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD90P04P4L04ATMA2 von Infineon und IPB70N10S3L12ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD90P04P4L04ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,22 $1,65
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C —
Gehäuse PG-TO252-3-313 (DPAK) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 Qualified
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Series — OptiMOS (IPB70N10)
Transistortyp — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Gehäuse / Bauform — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Avalanche Tested — 100 % Avalanche Tested
Halogenfrei — Yes

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