IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD90P04P4L04ATMA2 por Infineon e IPB70N10S3L12ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD90P04P4L04ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,22 $1,65
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TO252-3-313 (DPAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 Qualified
Status RoHS Compliant —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Series — OptiMOS (IPB70N10)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Encapsulamento / Caixa — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Avalanche Tested — 100 % Avalanche Tested
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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