IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD90P04P4L04ATMA2 par Infineon et IPB70N10S3L12ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD90P04P4L04ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,22 $1,65
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TO252-3-313 (DPAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 Qualified
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Series — OptiMOS (IPB70N10)
Type de transistor — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Boîtier / Format — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Avalanche Tested — 100 % Avalanche Tested
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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