IPG16N10S4L61AATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPG16N10S4L61AATMA1 von Infineon und IAUC120N04S6N010ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPG16N10S4L61AATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,12 $0,68
FET Type Dual N-Channel (Array) N-Channel
Technology Logic-Level, Enhancement Mode OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25C 16 A —
Power Dissipation (PD) 29 W —
Gehäuse / Bauform PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +175C (TJ) —
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
FET Feature Logic Level Gate —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 150 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 150 W
RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.0 mΩ
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) — 1.03 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) — 3 V (at 90 µA)
Gehäuse — PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family)
RoHS-Status — Compliant
Gate Drive Recommendation — 10 V VGS for full RDS(on) spec
Polarity — Single N-channel

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