IPG16N10S4L61AATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 比較
詳細な並列比較: IPG16N10S4L61AATMA1 メーカー: Infineon および IAUC120N04S6N010ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
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IPG16N10S4L61AATMA1 - Dual 100V 16A Logic-Level MOSFET | Infineon
IPG16N10S4L61AATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IPG16N10S4L61AATMA1 | IAUC120N04S6N010ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.12 | $0.68 |
| FET Type | Dual N-Channel (Array) | N-Channel |
| Technology | Logic-Level, Enhancement Mode | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25C | 16 A | — |
| Power Dissipation (PD) | 29 W | — |
| パッケージ / ケース | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | -55C to +175C (TJ) | — |
| 湿気感度レベル（MSL） | MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Product) | — |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (Wettable Flank) | — |
| FET Feature | Logic Level Gate | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | — | 150 A |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | — | 150 W |
| RDS(on) at VGS=10V (typ) | — | 1.0 mΩ |
| RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) | — | 1.03 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) | — | 3 V (at 90 µA) |
| パッケージ | — | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| 動作温度範囲 | — | -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) |
| MSLレベル | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Gate Drive Recommendation | — | 10 V VGS for full RDS(on) spec |
| Polarity | — | Single N-channel |