IPL60R180P6AUMA1 vs IPL60R210P6AUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPL60R180P6AUMA1 von Infineon und IPL60R210P6AUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPL60R180P6AUMA1 IPL60R210P6AUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,92 $0,78
Technology CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET) MOSFET (Superjunction / CoolMOS™)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Gate-Source Voltage (VGS) -20 V to +20 V (max) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 22.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 180 mΩ —
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C 176 W —
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich -55 °C to +150 °C —
Storage Temperature Range -55 °C to +150 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V) —
Gehäuse PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount PG-VSON-4 (ThinPAK) Surface Mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPL60R210P6AUMA1
Series — CoolMOS™ P6
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 600 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 19.2 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 210 mΩ
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 151 W
Gate-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: Tj max / operating range]
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Packaging — Tape & Reel
Packing Quantity — [DATA_NEEDED: reel qty]

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern