IPL65R115CFD7AUMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPL65R115CFD7AUMA1 von Infineon und IPB60R040CFD7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IPL65R115CFD7AUMA1 IPL65R115CFD7AUMA1 - 650V 24A 115mΩ CoolMOS CFD7 | Infineon

IPL65R115CFD7AUMA1 - 650V 24A 115mΩ CoolMOS CFD7 | Infineon

IPL65R115CFD7AUMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPL65R115CFD7AUMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,70 $5,19
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS CFD7 (Superjunction) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 24 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 144 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 115 mΩ at VGS=10V, ID=9.7A —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.5 V (typ) —
Body Diode Integrated Fast Recovery —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (TJ) -55°C to +150°C
Gehäuse PG-VSON-4 (VSON-4 EP) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS CFD7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Verlustleistung (TC=25°C) — 227 W
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

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