IPL65R115CFD7AUMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPL65R115CFD7AUMA1 por Infineon e IPB60R040CFD7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPL65R115CFD7AUMA1 IPL65R115CFD7AUMA1 - 650V 24A 115mΩ CoolMOS CFD7 | Infineon

IPL65R115CFD7AUMA1 - 650V 24A 115mΩ CoolMOS CFD7 | Infineon

IPL65R115CFD7AUMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPL65R115CFD7AUMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,70 $5,19
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS CFD7 (Superjunction) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 24 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 144 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 115 mΩ at VGS=10V, ID=9.7A —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.5 V (typ) —
Body Diode Integrated Fast Recovery —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C (TJ) -55°C to +150°C
Encapsulamento PG-VSON-4 (VSON-4 EP) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS CFD7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Dissipação de potência (TC=25°C) — 227 W
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Fichas técnicas e recursos

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