IPL65R200CFD7AUMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPL65R200CFD7AUMA1 von Infineon und IPB60R040CFD7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IPL65R200CFD7AUMA1 IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPL65R200CFD7AUMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,52 $5,19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS CFD7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 14 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 81 W —
On-Resistance (RDS(on)) 0.2 ohm at VGS=10V, ID=5.2A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Gehäuse PG-VSON-4 PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +150C (TJ) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg value] —
Body Diode Fast-recovery intrinsic —
Gate-Source ESD Protection Yes (integrated) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Product Family — CoolMOS CFD7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Verlustleistung (TC=25°C) — 227 W
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
MSL-Level — 1
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Datenblätter & Ressourcen

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