IPL65R200CFD7AUMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPL65R200CFD7AUMA1 por Infineon e IPB60R040CFD7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPL65R200CFD7AUMA1 IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPL65R200CFD7AUMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,52 $5,19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS CFD7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 14 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 81 W —
On-Resistance (RDS(on)) 0.2 ohm at VGS=10V, ID=5.2A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Encapsulamento PG-VSON-4 PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C (TJ) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg value] —
Body Diode Fast-recovery intrinsic —
Gate-Source ESD Protection Yes (integrated) —
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — CoolMOS CFD7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Dissipação de potência (TC=25°C) — 227 W
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Nível MSL — 1
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

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