IPN70R600P7SATMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPN70R600P7SATMA1 von Infineon und IPD80R600P7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPN70R600P7SATMA1 IPD80R600P7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,49 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (CoolMOS) N-Channel MOSFET CoolMOS P7 super-junction
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 700 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 8.5 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 600 mΩ —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 6.9 W —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C (Tj) -55 C to +150 C
Gehäuse PG-SOT223 (3-pin + tab), surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration Pin 1 Gate, Pin 2 Drain, Pin 3 Source, Tab Drain —
RoHS Compliance Compliant —
MSL-Level Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Family Position 700V CoolMOS P7, 600mΩ class —
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 8 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 22 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 600 mΩ at VGS=10V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 60 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V (typical)
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) — 20 mJ
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) — 0.17 mJ
Polarity — N-Channel

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