IPN70R600P7SATMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPN70R600P7SATMA1 por Infineon e IPD80R600P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPN70R600P7SATMA1 IPD80R600P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,49 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (CoolMOS) N-Channel MOSFET CoolMOS P7 super-junction
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 700 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 8.5 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 600 mΩ —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 6.9 W —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C (Tj) -55 C to +150 C
Encapsulamento PG-SOT223 (3-pin + tab), surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration Pin 1 Gate, Pin 2 Drain, Pin 3 Source, Tab Drain —
RoHS Compliance Compliant —
Nível MSL Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Family Position 700V CoolMOS P7, 600mΩ class —
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 8 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 22 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 600 mΩ at VGS=10V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 60 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V (typical)
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) — 20 mJ
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) — 0.17 mJ
Polarity — N-Channel

Fichas técnicas e recursos

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