IPN70R600P7SATMA1 vs IPN70R360P7SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPN70R600P7SATMA1 von Infineon und IPN70R360P7SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPN70R600P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,49 $0,58
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (CoolMOS) N-Channel MOSFET CoolMOS P7 Superjunction (SJ)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 700 V 700 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 8.5 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 600 mΩ —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 6.9 W —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C (Tj) -55°C to +150°C (junction)
Gehäuse PG-SOT223 (3-pin + tab), surface mount PG-SOT223 (3-pin, 2+Tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration Pin 1 Gate, Pin 2 Drain, Pin 3 Source, Tab Drain —
RoHS Compliance Compliant —
MSL-Level Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Family Position 700V CoolMOS P7, 600mΩ class —
Drain Current Continuous (Id, Tc=25°C) — 12.5 A
On-State Resistance Rds(on) max (Vgs=10V) — 360 mΩ
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) — 7.2 W
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vth) typ — 3.0 V
Channel Type — N-Channel
Storage Temperature Range — -55°C to +150°C
ESD Protection (HBM) — Class 1C
Drain Tab Connection — Pin 3 (Tab)
RoHS / REACH — Compliant (per Infineon product page)

Datenblätter & Ressourcen

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