IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPN80R4K5P7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPN95R3K7P7ATMA1 von Infineon und IPN80R4K5P7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPN95R3K7P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,44 $0,30
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V 800 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) CoolMOS Superjunction (SJ)
Gehäuse PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +150 C —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Product Family — CoolMOS P7
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 1.5 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 6 W
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 4.5 ohm max
Operating Mode — Enhancement-mode
Grade — Industrial
Application — Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers
Reel / Tape Packaging — Tape & Reel (T/R)

Datenblätter & Ressourcen

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