IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPN80R4K5P7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPN95R3K7P7ATMA1 par Infineon et IPN80R4K5P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPN95R3K7P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,44 $0,30
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V 800 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) CoolMOS Superjunction (SJ)
Boîtier PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Product Family — CoolMOS P7
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 1.5 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 6 W
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 4.5 ohm max
Operating Mode — Enhancement-mode
Grade — Industrial
Application — Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers
Reel / Tape Packaging — Tape & Reel (T/R)

Fiches techniques et ressources

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