IPP075N15N3GXKSA1 vs IPP320N20N3GXKSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPP075N15N3GXKSA1 von Infineon und IPP320N20N3GXKSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPP075N15N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,92 $1,36
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 3
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
Gehäuse PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
Montageart Through Hole Through Hole
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55°C to +175°C
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 34 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 32 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Power Dissipation PD at TC=25°C — 136 W
Anzahl der Pins — 3 (3 + Tab)
Channel Type — N-Channel
Element Configuration — Single
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes
MSL-Level — Not applicable (through-hole)

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