IPP075N15N3GXKSA1 vs IPP320N20N3GXKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP075N15N3GXKSA1 por Infineon e IPP320N20N3GXKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP075N15N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,92 $1,36
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 3
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
Encapsulamento PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55°C to +175°C
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 34 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 32 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Power Dissipation PD at TC=25°C — 136 W
Número de pinos — 3 (3 + Tab)
Channel Type — N-Channel
Element Configuration — Single
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Nível MSL — Not applicable (through-hole)

Fichas técnicas e recursos

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