IPP075N15N3GXKSA1 vs IPP320N20N3GXKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPP075N15N3GXKSA1 par Infineon et IPP320N20N3GXKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPP075N15N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,92 $1,36
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 3
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
Boîtier PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
Type de montage Through Hole Through Hole
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55°C to +175°C
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 34 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 32 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Power Dissipation PD at TC=25°C — 136 W
Nombre de broches — 3 (3 + Tab)
Channel Type — N-Channel
Element Configuration — Single
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — Not applicable (through-hole)

Fiches techniques et ressources

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